存储芯片行业科普

  （1）存储芯片属于半导体中集成电路的范畴，是目前应用面最广、标准化程度最高的集成电路基础性产品之一。半导体按照产品分类可分为光电器件、传感器件、分立器件和集成电路四大类，占半导体价值量比例最高的为集成电路，约占整个半导体行业市场规模的82.64%，其最重要的包含模拟芯片、微处理器芯片、逻辑芯片和存储芯片等四种。根据WSTS的数据，2022年全球半导体市场规模为5740.84亿美元，集成电路占比达83%，其中存储芯片市场规模为1297.67亿美元，占整个半导体行业的23%，由此能够看出，存储芯片和逻辑芯片在整个半导体产业链中贡献的价值量最大。

  （2）存储设备是计算机系统中用于存储和读取数据的硬件组件，按存储介质不同可分为光学存储、磁性存储与半导体存储。光存储器是指用光学方法从光存储媒体上读取和存储数据的一种设备，一般指光盘机、光带机和光卡机等；磁性存储，是指利用磁能方式存储信息的磁介质设备，其存储与读取过程需要磁性盘片的机械运动，目前大范围的应用于PC硬盘、移动硬盘等领域；存储芯片，又称为半导体存储器，是指利用电能方式存储信息的半导体介质设备，其存储与读取过程体现为电子的存储或释放，大范围的应用于内存、U盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域。按照断电后是否保留存储的信息，存储芯片主要可分为易失性存储芯片（RAM）和非易失性存储芯片（ROM）。RAM为随机存储器，断电后不会保存数据，基本的产品包括SRAM和DRAM，DRAM即动态随机存储器，使用电容存储，DRAM的一个比特使用一个电容和一个晶体管存储，由于电容会漏电，因此就需要定时刷新一次存储单元来保持数据；SRAM即静态随机存储器，其内部结构比DRAM复杂，可以在不刷新电路下保存数据。ROM是一种存储固定信息的存储器，在正常工作状态下只能读取数据，不能即时修改或重新写入数据，在外部电源切断后仍能保存数据，读取速度较慢但存储容量更大，最重要的包含EEPROM（带电可擦可编程只读存储器）、Flash(闪存芯片)、PROM(可编程只读存储器)、EPROM(可擦除可编程只读存储器)等。

  （3）根据具体的功能，可以将计算机中的存储器细分为寄存器、高速缓存、主存储器、磁盘缓存、固定磁盘、可移动存储介质等6层。从CPU Cache、内存到SSD和HDD，构成了计算机的存储体系，各层只和相邻的层交换数据，随着层级由高到低，设备容量变大、离CPU距离变远、访问加载速度变慢、传输时间变长，并且每字节的造价成本也慢慢变得便宜。CPU中的寄存器位于最顶部，记为L0，它使用SRAM芯片做成，集成在CPU的内部，其容量有限、速度极快、和CPU同步；缓存是一种小而快的存储器，一般作为DRAM的缓冲，采用SRAM技术实现，通常也会被集成在CPU内部；主存一般由DRAM组成，和SRAM不同，其存储密度更高，容量更大，价格更低，速度也更慢。综合看来，SRAM价格贵、速度快，DRAM价格实惠公道、容量更大，SSD和HDD硬盘作为外部存储设备容量更大、成本更低、离CPU更远、访问加载速度更慢。

  （4）DRAM和FLASH是目前市场上最为主要的存储芯片。FLASH可分为NOR和NAND两种，两者不同之处在于存储单元连接方法不一样，导致两者读取方法不一样，NAND由于引脚上复用，因此读取速度比NOR慢一点，但是擦除和写入速度比NOR快很多；NAND内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低，市场上一些大容量的FLASH都采用NAND型，例如SSD、U盘、SD卡、EMMC。小容量的2～12M的FLASH多是NOR型，NOR更适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行。相比于Flash与Nor，DRAM具有较高读写速度、存储时间短等优势，但单位成本更高，大多数都用在PC内存(如DDR)、手机内存(如LPDDR)与服务器等设备等。

  （1）存储芯片是半导体产业的重要分支，下游应用空间广阔。存储芯片行业产业链上游参与者包括硅片、光刻胶、靶材、抛光材料、电子特种气体等半导体材料供应商与光刻机、PVD、CVD、刻蚀设备、清理洗涤设施、封测设备等半导体设备供应商；产业链中游为存储芯片制造商，主要负责存储芯片的设计、制造和封测，常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等；产业链下游为消费电子、汽车电子、信息通信、人工智能等应用领域内的企业，各类电子化和智能化设备不能离开存储芯片应用。

  （2）存储芯片按照制造流程又可细分为一条完整的产业链。存储芯片产业链主要由集成电路设计、晶圆制造、封装和测试、模组厂商集成等环节组成，从经营模式来看，大致上可以分为IDM和垂直分工模式。IDM模式指企业业务覆盖IC设计、制造、封装和测试的所有环节，大部分国际存储芯片大厂均为IDM模式，例如东芝半导体、三星半导体、飞索半导体、美光科技等大型跨国企业。另一种模式为垂直分工模式，即Fabless（无晶圆制造的设计企业）+Foundry（晶圆代工厂）+OSAT（封装测试企业），Fabless模式是指无晶圆生产线集成电路设计模式，即企业只进行集成电路的设计和销售，将制造、封装和测试等生产环节外包，例如高通、联发科、AMD、华大半导体等；Foundr 即晶圆代工厂，它是一种只负责芯片制造，不负责芯片设计环节的一种产业运作模式，这类企业典型代表为台积电、联电、中芯国际等；OSAT指专门从事半导体封装和测试的企业，比如日月光、Amkor、长电、通富微电等。

  （3）垂直分工模式进一步深化，减少相关成本同时明显提升产业运作效率。IDM模式下，企业投入大量资金用于晶圆制造设备和生产线的建设，内部各环节协同生产，整体规模效应显著，毛利率也会上升；但IDM模式下，企业内部管理成本增加，因此，IDM模式适合规模巨大的企业。Fabless模式注重轻资产运营，更为灵活，可以充分的利用半导体产业链资源，集中主要精力用于产品研制和技术迭代，适应激烈的市场之间的竞争环境，加快速度进行发展，缺点是没办法实现工艺协同，同时需要承担各种市场风险，相对来说适合小企业经营。存储芯片标准化程度较高，国际巨头大部分采取IDM模式运行，国内存储企业由于规模较小，刚开始从小众市场切入，多数采用Fabless模式，随企业规模的扩大，长期或将向IDM模式转型。近些年，国内大型存储项目长江存储、合肥长鑫、福建晋华均是IDM模式的大型晶圆厂布局。

  （4）行业发展和技术升级驱动产业链模式变化，并购加速产业链整合。在台积电成立以前，半导体行业只有IDM一种模式，经过半个多世纪发展，全球半导体产业链逐步朝向分工和整合趋势发展。

  1）产业链分工：摩尔定律推动半导体行业技术一直更新迭代，同时带动生产制造设备的升级改造，先进工艺晶圆厂资金投入增加，Foundry模式能最大化的分摊技术升级成本和利用产能，提高资本支出的收益率。IDM企业为减少投资风险、轻资产化，逐渐采取Fablite（轻晶圆厂）策略，将部分非核心和高难度工艺制造业务转为第三方代工，自身保留其余制造业务。

  2）产业链整合：半导体行业进入新的发展阶段，通过并购，企业间可以基于业务层面的协同互补，扩展产品条线和客户群体，缩减成本的同时实现更强的供应链溢价，提升行业市占率。因此，随技术进步，全球分工模式慢慢的变多，同时，大企业不断成长又不断合并为IDM模式，产业循环往复，推动全球技术不断推进。

  （5）近些年，随技术难度一直在升级，Fabless公司在全球IC销售额中的份额持续提升。根据IC Insights数据，在销售增长率方面，过去20年里，采取Fabless模式的公司IC销售额增长率明显高于采取IDM模式的公司，个别年份例如2017、2018年，Fabless公司份额增长低于IDM公司，而且相较于IDM公司，Fabless公司受市场环境波动幅度更小。在销售份额占比方面，2003-2021年，全球Fabless公司销售份额占IC销售额比重稳定增长，2019年IC市场的Fabless份额较去年同期提高4.1个百分点至29.9%，随后持续增长并在2021年达到34.8%的峰值。Fabless模式的轻资产化更为灵活，在市场周期下行的阶段，能更好适应激烈的市场之间的竞争环境。我国国产化空间巨大，大部分的存储芯片企业成立之初均以Fabless模式为主。

  （1）存储芯片产业发源于美国，此后经历过两次大的产业转移。进入1960年代后，随着计算机技术的发展，电子行业开始了将集成电路技术用于计算机存储领域的尝试，存储芯片产业链从垂直整合到垂直化分工越来越明确，并经历了两次空间上的产业迁移，迁移路径由美国至日本再到韩国。

  1）美国：行业市占率居前的主要厂商也随着产业迁移发生了明显的变化，最开始由美国加州的Advanced Memory System公司生产出了世界上第一款DRAM芯片（容量仅有1KB），随后英特尔、德州仪器（TI）、莫斯泰克（Mostek）、美光等存储厂商逐渐发展壮大。

  2）日本：1976年，为发展半导体技术领域，日本通过制，成立了VLSI联合研发体，随后成功研制出64K DRAM，追平了美国研发进度；到了1980年代，日本厂商凭借质量和价格上的优势，开始反超美国，市占率逐渐达到全球第一；1985年，美苏冷战气氛不断减弱，日美贸易摩擦持续不断的增加，美国开始对日本经济实施打压，在陆续的施压下，日本存储芯片市场占有率一落千丈，很快丧失了主导权。

  3）韩国：韩国企业抓住了美日半导体竞争的契机，在美国的技术转让和市场准入扶持下，三星电子脱颖而出，逐渐赶超日本。

  （2）存储市场加速发展，国内厂商异军突起。2016年之前，国内没有生产DRAM、Flash的能力，直到合肥长鑫、长江存储成立。2019年，中国大陆公司开始全面进军存储器市场，长江存储64层3D NAND Flash进入量产阶段，紧接着合肥长鑫宣布中国大陆第一座12英寸DRAM工厂投产，并宣布首个19纳米工艺制造的8Gb DDR4。三年时间里，国内相继攻克了3D NAND Flash和DRAM技术，在某些特定的程度上打破了内存和闪存制造国际寡头垄断的局面。国内存储芯片起步晚，要实现全球领先任重道远，先进制造技术仍掌握在国际大厂的手里，因此，存储芯片产业高质量发展需要长期的资产金额的投入和技术革新，解决生产制造中不良率的下降以及产能的上升，提高性能指标。

  （1）DDR、LPDDR、GDDR是基于DRAM的三种内存规范或标准。固态技术协会（JEDEC）定义了三种DRAM标准类别，帮助设计人员满足目标应用的功耗、性能和规格要求。标准DDR：面向服务器、云计算、网络、笔记本电脑、台式机和消费类应用，支持更宽的通道宽度、更高的密度和不同的形状尺寸，其发展路线通过提升核心频率来提高性能。移动DDR（LPDDR)：面向移动式电子科技类产品和汽车这些对规格和功耗非常敏感的领域，提供更窄的通道宽度和多种低功耗运作时的状态，四代之前是基于同代DDR发展，四代之后是基于应用端独自发展，通过提高Prefetch预读取位数来提升性能。图形DD (GDDR)：面向需要极高吞吐量的数据密集型应用程序，例如图形相关应用程序、数据中心加速和AI，是应用于高端显卡的高性能DDR存储器，侧重于数据位宽、远超同期DDR的运行频率。

  （2）DDR因其性能和成本优势成为目前PC和服务器端主流内存。SDRAM也可称为SDR SDRAM，即单倍数据传输率，SDR SDRAM的核心、I/O、等效频率皆相同，在1个周期内只能读写1次，若需要同时写入与读取，必须等到先前的指令执行完毕，才能接着存取。DDR是用于系统的RAM技术，规范名称为DDR SDRAM，即双倍速率同步动态随机存储器，其特点是高带宽、低延时，DDR总线bit宽度，每根Data的管脚能够直接进行读操作或写操作（不同时）。目前已推出的DDR1-DDR5是由JEDEC制定的产品质量标准，从DDR1到DDR5的演进路线来看，DDR的能耗越来越低，传输速度慢慢的变快、存储容量也慢慢变得大，目前的最新标准是DDR5，起步速率为4800MT/S，最高可达6400MT/S，电压则从1.2V降至1.1V，功耗减少30%。目前，三星已经率先开始了下一代DDR6内存的早期开发，预计其DDR6设计将在2024年之前完成，在2025年之后开始商业应用。

  3）受益于终端需求加快速度进行发展，LPDDR和GDDR步入高速迭代期。LPDDR，即低功率双倍速率同步动态随机存储器，是DDR SDRAM的一种，又被称为mDDR（Mobile DDR SDRAM），拥有比同代DDR内存更低的功耗和更小的体积。目前智能手机广泛使用的LPDDR5内存标准是2019年2月由JEDEC协会正式对外发布，相较于上一代LPDDR4标准，LPDDR5的I/O速度提升到6400 MT/s，是LPDDR4速度的两倍，比LPDDR4X的4266MT/S快了50%。GDDR，是用于显示的RAM技术，其特点是高带宽、高延时，目前最新的标准是GDDR6，2022年7月，三星推出了首款具有24Gbps处理速度的GDDR6显存。

  （1）存储芯片是半导体标准化程度最高的市场，周期性表现显著、市场弹性较强。半导体产业中，存储芯片的市场规模仅次于逻辑芯片，行业景气度受供需关系影响较大，呈现出较强的周期性，被视为半导体产业周期的风向标。根据WSTS统计，2015-2022年，全球存储芯片市场规模呈周期性波动，2018年全球存储芯片市场规模为1580亿美元，2019年受贸易摩擦和价格下降影响，全球存储芯片市场下降32.6%至1064亿美元，2021年存储芯片市场达到短期峰值，随后两年市场景气持续下行，WSTS预测2023、2024年存储芯片市场规模分别为840.41、1203.26亿美元。根据历史数据表现来看，半导体和存储市场周期性趋同，但存储行业整体波动性较大，弹性较强。我们预计2023年下半年市场加速筑底，有望迎来上行周期，且随着人工智能、物联网、大数据等领域的发展，行业需求将得到持续扩张。

  （2）国内存储芯片市场近年来持续扩大。随着人工智能、物联网和云计算技术的推进，国内电子制造水准不断提升，对存储芯片的需求逐步攀升。国内存储芯片制造商积极投入存储芯片研发和制造领域，努力实现技术自主创新，提升本土产业竞争力，降低进口依赖。根据中商产业研究院多个方面数据显示，2018-2022年，中国存储芯片行业市场规模总体呈现上涨态势，2019年受全球存储器行业的影响，市场规模会降低，2022年国内存储芯片行业市场规模约为5938亿元，预测2023年将达到6492亿元。随着国内消费电子市场快速地发展，未来存储芯片的需求空间也会慢慢的广阔。

  （3）从全球存储市场结构来看，DRAM和NAND Flash占据绝对主导地位。根据Yole Group调查机构的多个方面数据显示，2021年存储芯片整体市场规模达到了1665亿美元。其中DRAM占比为56.3%，NAND占比为40%，剩下的NOR、(NV)SRAM/FRAM、EEPROM、新型非易失存储等占比3.7%。同时，Yole预测在2021-2027年，存储市场平均每年将会有8%的增长，到2027年市场规模将达到2630亿美元，其中DRAM和NAND依然占据绝对地位，预计在2027年DRAM达到60%，NAND市场稍微有所下降到36%，其他存储器占剩余4%的市场份额。

  （4）分季度来看，2022年成为拐点，存储市场规模增长步入尾声。三年疫情期间，存储市场需求上升，市场规模增长较快，据CFM闪存市场预计，2021年Q3DRAM市场规模增长9%至264亿美元，NAND Flash市场规模增长15%达到186亿美元，之后DRAM/NAND市场规模开始下降，到2022年Q4存储市场规模已经回到2019年Q1、Q2的周期底部水平，在淡季效应下2023年一季度环比续跌，二季度或为2023年最低点，预计从2023年下半年起，存储市场规模将逐季增长，在需求改善的前提下有望回到之前的上涨的速度和市场规模。

  （1）存储下游应用空间广泛，主要以消费电子与服务器为主。存储器产业链下游涵盖智能手机、平板电脑、计算机、网络通信设施、汽车电子等行业及个人移动存储等领域，不同应用场景对存储器的参数要求复杂多样，涉及容量、读写速度、功耗、尺寸、稳定性、兼容性等多项内容，由此也形成了不同的产品形态。DRAM中，LPDDR主要与嵌入式存储配合应用于智能手机、平板等消费电子科技类产品，近年来亦应用于功耗限制严格的个人电脑产品，DDR主要使用在于服务器、个人电脑等，DRAM市场需求主要以手机、PC与服务器为主，2021年占比分别为35%/16%/33%。NAND Flash包括嵌入式存储（用于电子移动终端低功耗场景）、固态硬盘（大容量存储场景）和移动存储（便携式存储场景）等，其中嵌入式存储市场主要受智能手机、平板等消费电子行业驱动，固态硬盘下游市场包括服务器、个人电脑，移动存储大范围的应用于各类消费者领域，2021 年，应用于mobile 端的嵌入式存储产品、应用于PC 端的cSSD和应用于服务器端的eSSD 产品分别占比34%、22%和26%。

  （2）作为存储芯片下游重要的细分市场，智能手机景气度成为存储市场发展的核心驱动力之一。随着移动通信技术的发展和移动互联网的普及，手机ROM和RAM分别成为嵌入式NAND Flash和DRAM的核心市场。得益于3G/4G通信网络的建设，全球智能手机市场出货量从2010年的3.05亿台迅速递增至2016年的14.73亿台，2017年开始智能手机市场趋向饱和，主要是4G智能手机增量市场触及天花板，智能手机整体出货量主要受存量市场手机单位存储容量增长驱动。2019年是5G商用化元年，随着5G逐渐普及，新一轮的换机周期开启，智能手机终端新需求进一步打开。

  （3）存储芯片价格下降，助推终端厂商容量配置升级。智能手机对于存储芯片需求不只取决于手机出货量，同时取决于单台手机的存储容量。目前主流智能手机的存储容量为256GB至512GB，缓存容量为8GB至12GB，随着5G手机渗透率的逐步提升，智能手机的性能进一步升级，单台智能手机的RAM模块（LPDDR）和ROM模块（嵌入式NAND Flash）均在经历持续、大幅地提升。RAM扩容是CPU提升处理速率的必要条件，功能更为强大的移动终端将允许手机搭载功能更复杂、占据存储容量更大的软件程序，且消费者通过移动终端欣赏更高画质、音质内容物的消费习惯亦会促进持续推动智能手机ROM扩容。2023年智能手机在生产数量上增长平缓，平均搭载容量增加为移动端NAND需求量开始上涨的主要驱动力，集邦咨询预计随UFS价格回调，2023年Q4 256GB占比有望突破30%。

  （4）PC市场需求有所回落，单台设备存储容量持续增加。三年疫情带来工作、生活方式的转变，而平板、笔记本电脑等也因远程办公、在线教育场景需求，出货量大幅度增长，2020年、2021年出货量同比增长13.47%和15.27%，但疫情并非长期性事件，PC需求量持续快速地增长存在比较大不确定性，2022年开始需求已经回落。由于SSD的制造成本比较高，PC端数据存储过去主要用机械硬盘（HDD），近年来，随着NAND Flash单位存储经济效益持续凸显，同时笔记本电脑，特别是轻薄笔记本电脑对存储物理空间限制严格，SSD对HDD的替代效应显著。同时，PC与其他消费电子科技类产品相同，正在经历性能和数据存储需求的持续增长，随着消费者处理数据的需求持续不断的增加，单台设备的存储容量需求亦持续增加。

  （1）DRAM和NAND Flash市场集中度高，呈现寡头垄断格局。根据Yole数据，2021年全球存储市场中，DRAM占比为56.3%，NAND占比为40%，目前DRAM芯片的市场格局由三星、SK海力士和美光三家存储厂商主导，CR3市场占有率合计已超过95%，最新数据分析来看，2023年Q2三星电子占全球DRAM市场营收的38.14%，SK海力士占比达32.29%，美光的市占率也达到25.03%，市场高度集中，寡头垄断的格局使得国内厂商对DRAM芯片议价能力很低，也使得DRAM芯片成为中国受外部制约最严重的基础产品之一。NAND Flash市场经过几十年的发展，逐渐形成了由三星电子、铠侠、西部数据、美光、SK海力士等组成的稳定市场格局，2023年Q2三星电子、铠侠、SK海力士、西部数据、美光的营收占比分别为30.18%、20.05%、18.25%、15.09%、11.10%，CR5合计市占率达95%，国内的长江存储也在慢慢进入NAND市场，但市占率相对较低。

  （2）NOR行业经历二十多年演变，头部厂商经历多次洗牌。2003年由AMD和富士通整合各自的闪存业务合并成立飞索半导体，后逐渐发展为NOR Flash领域头部厂商，然而在2009年，公司申请了破产保护，三星电子也在2010年开始宣布退出NOR市场，由英特尔和意法半导体在2008年合资成立的恒亿也在2010年被美光收购。全球NOR市场空间经过较长时间的下行，国际巨头美光和赛普拉斯于2017年先后宣布逐步退出中低容量的消费电子市场，美光和赛普拉斯的退出使华邦、旺宏和兆易创新的份额开始上升，另外产能的减少也改善了市场的供需关系，2017年之后，全球NOR Flash市场被旺宏、华邦、赛普拉斯、美光和兆易创新垄断。

  （3）国际存储巨头相继退出NOR Flash市场，龙头占据主要份额。NOR Flash属于利基型存储，在全球存储市场占有率很小，根据Yole数据，2021年全球存储市场中，NOR占比仅为2.1%。2015-2021年，受5G、TWS等新智能设备，以及居家办公、远程教育等需求带动，NOR Flash市场规模保持稳定增长，2021年市场规模达到28.84亿美元，同比增长15.36%，其中旺宏、赛普拉斯、华邦、美光和兆易创新成为NOR Flash全球前五大供应商，2017年占据全球92%以上的市场占有率。随着2017年国际存储巨头美光、赛普拉斯相继退出低端NOR市场，华邦、旺宏、兆易创新则逐渐占据NOR Flash剩余的主要市场占有率，2021年三家存储厂商的市占率分别为35%、33%和23%，CR3合计市占率达到91%，国内厂商例如普冉股份、北京君正、东芯股份、恒烁股份等也迅速加入市场。

  （4）国内厂商加快产业链布局，聚焦利基型存储市场。存储芯片行业属于技术密集型产业，全球存储芯片市场基本均被韩国、日本以及美国等国家垄断，国内存储芯片行业起步晚，缺乏技术积累，国内厂商除合肥长鑫和长江存储外，大部分聚焦于利基型市场，与国际龙头展开错位竞争。国内代表性存储芯片设计及制造企业包括兆易创新、长江存储、长鑫存储、武汉新芯、普冉股份等，近年来，中国紫光集团旗下长江存储、武汉新芯，以及兆易创新及其合作厂商合肥长鑫等在DRAM和Flash领域逐渐突破技术壁垒，存储芯片供给格局正在悄然变化，从过去高度依赖进口，到国产品牌逐渐开始占据市场。尽管目前国内存储芯片产业整体发展与海外巨头任旧存在差距，各家存储芯片产品仍处于投产初期，尚未实现产品的规模量产，但随着国内厂商不断取得关键性技术突破，市场有望迎来黄金发展期。

  （1）存储大厂纷纷缩减资本支出，降低产能利用率以调配供需平衡。根据IC insights多个方面数据显示，全球半导体资本支出在2021年增长35%，2022年增长19%后，预计2023年下降14%，达1560亿美元。细分来看，在存储领域，以SK海力士和美光科技为首的存储芯片厂商对半导体投资支出显著下滑，其中，SK海力士在2023年降低50%资本支出，美光在2023年资本支出下降42%，存储厂商龙头三星电子2022年只增加了5%的资本支出，2023年维持上年同等水平。当前，存储市场处于下行周期，全球存储厂商面临价格下降、产业本身的周期属性以及外部经济环境下行因素，为应对持续低迷的存储芯片市场，三星电子、美光科技、SK海力士、西部数据等存储芯片大厂都宣布将于2023年大幅度减产、削减资本开支，改善供需结构。

  （2）存储芯片价格下降幅度减缓，短期有望筑底反弹。截至2023年8月，年初至今DRAM现货价格下跌30%左右，虽然DRAM厂商较早计划减产，但由于今年服务器需求不如预期，服务器DRAM供应整体溢出严重，部分现货DDR颗粒供应过剩，原厂不断收缩供应过剩的DDR4转向利润更高的DDR5，市场供需状况在产能调动中持续变化，供需两端持续博弈，部分DRAM行情短期承压。目前存储行情位于底部横盘阶段，市场仍然处于争夺存量需求的阶段，在上游厂商减产、资源拉涨和消费持续复苏的带动下，预计下半年存储行情将持续回暖。

  （4）美光在华销售产品未通过网络安全检查，国产化自主安全可控需求凸显。2023年5月21日，网信中国发文称，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品做了网络安全审查，审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律和法规，国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球第三大存储芯片巨头，审查结果将影响美光的产品在中国市场的销售，三星、SK海力士将逐渐取而代之，中国的存储厂商也能获得更加多市场机会，此前采购美光存储晶圆、芯片的中国存储模组制造企业将进行产品结构调整。

  （5）美光在华销售份额较高，国产替代空间广阔。根据美光科技2022年财报数据，2022财年美光营收为307.58亿美元，其中中国内地为33.11亿美元，占比为11%，是除美国和中国台湾外第三大市场。在美光销售的产品中，DRAM内存是其最主要的来源，2022年营收223.86亿美元，占比73%，NAND闪存是第二大产品，2022年营收78.11亿美元，占比25%。根据IC Insights的数据，全球车规DRAM市占率前三分别为美光（45%）、北京君正（15%）和三星（11%），随着美光在华销售产品受到限制，国内车载存储龙头北京君正最先受益；SLC NAND领域，国内龙头东芯股份有望从中受益；此外，根据CINNO Research数据，2020年美光在全球NOR Flash市场占约4%的份额，国内NOR Flash龙头厂商兆易创新有望加速产品升级以及提高市占率。